Il existe à l'institut FEMTO-ST trois techniques de dépôt de couches minces :
Description :
Il s'agit dans ce cas de vaporiser un matériau à l'aide d'un bombardement d'argon sous forme plasma. Pour réaliser cette opération, plusieurs bâtis complémentaires sont disponibles. Un bâti ALCATEL équipé d'un générateur radiofréquence adapté au matériaux isolants et conducteurs sur lequel on trouve 3 lignes de gaz : l'argon, l'azote et l'oxygène. Un second bâti PLASSYS équipé de deux générateurs à courant continu l'un de forte puissance et l'autre finement régulé en intensité, sur lequel on trouve une seule ligne d'argon. Ces deux types d'alimentation de cible permettent d'obtenir soit des couches minces contrôlées en épaisseur (gamme du nanomètre) à échauffement réduit ou soit des films d'épaisseur plus importante (gamme du micromètre).
Pour améliorer les rendements de pulvérisation, des cathodes magnétron équipent les deux machines pour lesquelles les flux d'ions et d'électrons sont confinés à l'aide d'un champs magnétique.
Un troisième bâti compléte les deux premiers pour le dépôt de couches minces piézoélectriques: il s'agit d'un bâti de pulvérisation réactive du nitrure d'aluminium.
Pulvérisation Radiofréquence : ALCATEL SCM 441
Pulvérisation Cathodique Réactive : PLASSYS
Pulvérisation Cathodique PLASSYS (CTMN)
Description :
Machine d'évaporation, le chauffage du matériau est effectué à l'aide d'un faisceau d'électrons focalisés. Les matériaux les plus fréquemment déposés sont : Al,Ti,Ni,Cr
Evaporation à canon à électrons pour couche mince optique
Evaporation à effet joule pour matériaux thermo-fusibles
Bâti d'évaporation par effet joule
Description :
Machine de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté plasma : PECVD (Plasma Enhenced Chemical Vapor Deposition).